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TN30 一般性問題
TN301 基礎理論
TN301.1 半導體物理
TN301.2 半導體化學
TN302 設計與計算
TN303 結構、器件
TN304 材料
TN304.0 一般性問題
TN304.1 元素半導體
TN304.2 化合物半導體
TN304.3 稀土半導體
TN304.5 有機半導體
TN304.6 離子晶體
TN304.7 磁性半導體、磁阻半導體
TN304.8 非晶態半導體
TN304.9 其他半導體材料
TN305 半導體器件制造工藝及設備
TN305.1 晶體機械加工
TN305.2 表面處理
TN305.3 摻雜
TN305.4 擴散
TN305.5 氧化層生長
TN305.6 制版
TN305.7 光刻、掩膜
TN305.8 真空鍍膜
TN305.92 濺射
TN305.93 裝架
TN305.94 封裝及散熱問題
TN305.95 隔離技術
TN305.96 引線技術
TN305.97 潔凈技術
TN305.99 其他
TN306 可靠性及例行試驗
TN307 測量和檢驗
TN31 半導體二極管
TN311 二極管：按工藝分
TN311+.1 面接觸二極管
TN311+.2 合金二極管
TN311+.3 擴散二極管
TN311+.4 電化學二極管
TN311+.5 薄膜二極管
TN311+.6 互補二極管
TN311+.7 熱載流子二極管
TN311+.8 金屬-半導體二極管
TN312 二極管：按結構和性能分
TN312+.1 變容二極管
TN312+.2 隧道二極管
TN312+.3 反向二極管
TN312+.4 PIN二極管
TN312+.5 磁性二極管
TN312+.6 雙基極二極管
TN312+.7 雪崩二極管
TN312+.8 發光二極管
TN313 二極管：按作用分
TN313+.1 高壓二極管
TN313+.2 負阻二極管
TN313+.3 穩壓二極管
TN313+.4 功率二極管
TN313+.5 整流二極管
TN313+.6 開關二極管
TN313+.7 電荷貯存二極管（階躍恢復二極管）
TN313+.8 微波混頻及檢波二極管
TN314 二極管：按形式分
TN314+.1 臺面型二極管
TN314+.2 平面型二極管
TN314+.3 外延式二極管
TN315 二極管：按材料分
TN315+.1 鍺二極管
TN315+.2 硅二極管
TN315+.3 砷化鎵二極管
TN32 半導體三極管（晶體管）
TN321 晶體管：按工藝分
TN321+.1 面接觸晶體管
TN321+.2 合金晶體管
TN321+.3 擴散晶體管
TN321+.4 電化學晶體管
TN321+.5 薄膜晶體管
TN321+.6 互補晶體管
TN322 晶體管：按性能分
TN322+.1 本征勢壘晶體管
TN322+.2 漂移晶體管
TN322+.3 復合晶體管
TN322+.4 負荷晶體管、電荷晶體管
TN322+.5 磁性晶體管
TN322+.6 低噪聲晶體管
TN322+.7 微功耗晶體管
TN322+.8 雙極性晶體管
TN323 晶體管：按作用分
TN323+.1 低頻晶體管
TN323+.2 高頻晶體管
TN323+.4 功率晶體管
TN323+.6 開關晶體管
TN323+.7 模擬晶體管
TN323+.8 高反壓晶體管
TN324 晶體管：按形式分
TN324+.1 臺面型晶體管
TN324+.2 平面型晶體管
TN324+.3 外延型晶體管
TN324+.4 覆蓋式晶體管、梳狀（網狀）晶體管
TN325 晶體管：按材料分
TN325+.1 鍺晶體管
TN325+.2 硅晶體管
TN325+.3 化合物晶體管、砷化鎵晶體管
TN335 PNPN四層結構器件
TN34 晶閘管（可控硅）
TN341 可控硅原理和設計
TN342 可控硅器件
TN342+.2 單向可控硅
TN342+.3 雙向可控硅
TN342+.4 可關斷可控硅
TN342+.5 雪崩型可控硅
TN342+.6 高速可控硅
TN342+.7 光控可控硅
TN344 控制線路
TN345 參數及測量
TN345+.1 額定正向平均電流及其測量
TN345+.2 正向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.3 反向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.4 控制極觸發電壓及其測量
TN345+.5 控制極觸發電流及其測量
TN349 可控硅的應用
TN35 半導體整流器
TN351 氧化亞銅整流器
TN352 硒整流器
TN353 鍺整流器
TN354 砷化鎵整流器
TN355 氧化物整流器
TN356 硫化物整流器
TN357 光控整流器
TN358 電導調制整流器
TN359.1 相敏整流器
TN359.2 整流堆
TN36 半導體光電器件
TN361 光敏電阻
TN362 紅外線探測器件
TN364 半導體光電管
TN364+.1 硅光電管
TN364+.2 半導體光電二極管
TN364+.3 光電晶體管
TN364+.4 微分半導體光電管
TN365 半導體激光器件
TN366 光轉換器
TN37 半導體熱電器件、熱敏電阻
TN371 通用熱敏電阻
TN372 高溫、低溫熱敏電阻
TN373 正溫度系數熱敏電阻
TN374 高頻、低頻熱敏電阻
TN375 玻璃態熱敏電阻
TN376 熱敏電阻熱輻射探測器
TN377 溫差電器件
TN379 敏感器件
TN382 霍爾器件、光磁電探測器件
TN382+.1 霍爾回旋器
TN382+.2 霍爾阻隔器
TN382+.3 霍爾環形器
TN383 發光器件
TN383+.1 場致發光器件、電致發光器件
TN383+.2 光致發光器件
TN383+.3 高能粒子輻射發光器件
TN383+.4 陰極發光器件
TN383+.5 熱致發光器件
TN384 鐵電及壓電器件
TN385 微波半導體器件
TN386 場效應器件
TN386.1 金屬-氧化物-半導體（MOS）器件
TN386.2 絕緣柵場效應器件
TN386.3 肖特基勢壘柵場效應器件
TN386.4 硅柵器件
TN386.5 電荷耦合器件
TN386.6 結型場效應晶體管
TN386.7 靜電感應場效應晶體管
TN387 體效應器件
TN387.1 甘氏效應器件、甘氏二極管
TN387.2 限壘二極管
TN387.3 碰撞雪崩渡越時間器件
TN387.4 奧氏器件、玻璃半導體器件
TN387.5 混合模式器件
TN389 其他器件
共
624
筆商品，
29
/32頁
561.
化合物半導體器件（簡體書）
作者：
呂紅亮
出版社：
電子工業出版社
出版日：
2009/05/01
裝訂：
平裝
《化合物半導體器件》介紹了化合物半導體物理的基礎知識和原理。全書共8章，主要內容為：半導體器件物理的基礎內容、化合物半導體材料及其基本電學特性；化合物半導體器件的種類及其特性，包括雙極型器件、異質結器件、場效應器件、量子效應、熱電子器件和光電子器件；寬禁帶半導體材料與器件。
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562.
納米半導體（簡體書）
作者：
馬洪磊
出版社：
國防工業出版社
出版日：
2009/04/01
裝訂：
平裝
納米半導體具有許多常規半導體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在諸多領域具有空前的應用前景。全書共11章，全面系統地闡述了納米半導體的基本概念、制備技術和十種典型納米半導體的結構、形貌、組分、電子結構、光電特性、磁學性質、場發射特性及其應用。 本書可作為大專院校凝聚態物理、微電子學與固體電子學、材料物理與化學等相關專業的研究生教材或參考書，也可供從事納米半導體教學、科研、開發的教師、科學研究人員
海外經銷商無庫存，到貨日平均30天至45天
定價：288 元，
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251
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563.
功率晶體管原理（簡體書）
作者：
萬積慶
出版社：
湖南大學出版社
出版日：
2009/03/01
裝訂：
平裝
本書首先介紹Si和SiC材料的基本物理特性、PN結的終端造型技術，并討論肖特基二極管、PIN整流二極管、功率晶體管的基本結構與特徵參數；然后深入討論功率MOSFET和IGBT的元胞結構、阻斷特性、正向導通特性、開關特性及其基礎工藝。本書可以作微電子技術與微電子學、電子科學與電子技術、電力電子技術專業本科生教材或教學參考書。
海外經銷商無庫存，到貨日平均30天至45天
定價：258 元，
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224
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564.
半導體製造與過程控制基礎（簡體書）
作者：
(美)梅
出版社：
機械工業出版社
出版日：
2009/01/01
裝訂：
平裝
本書詳細地研究并闡述了在高產量制造環境中，電子材料和供料轉換為完善的集成電路和電子產品的過程和方法。本書討論與微電子器件和電路的工業水平制造相關的問題，包括（但不限于）制造、過程控制、試驗設計、過程建模、產出建模和CIM（計算機集成制造）／CAM（計算機輔助制造）系統。本書包括對基本制造概念理論和實踐的描述，以及一些案例分析、典型問題和建議的練習。 本書可作為相關專業研究生的教材，也可在半導
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565.
可重入製造系統的控制（簡體書）
作者：
張潔
出版社：
科學出版社
出版日：
2009/01/01
裝訂：
平裝
本書主要從可重入制造系統的控制體系結構、控制方法和控制性能分析方法等角度對可重入制造系統控制問題進行介紹。重點介紹可重入制造系統的分層自適應控制體系結構、分層協同控制技術、重調度控制技術、預測控制系統控制的實驗證平臺和在企業車間的信息化系統進行介紹。實例驗證表明，本書提出的方法和技術可能效減少晶圓在制品庫存，縮短晶圓產品交貨期，提高半導體生產線的整體設備利用率，提高半導體企業的市場響應速度。 本
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287
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566.
氧化鋅半導體材料摻雜技術與應用（簡體書）
作者：
葉志鎮
出版社：
浙江大學出版社
出版日：
2009/01/01
裝訂：
平裝
本書介紹了氧化鋅(ZnO)的摻雜技術、性能及其應用。全書共分七章，第一章概述了ZnO的結構、基本性質與制備方法，第二章介紹了ZnO的本征缺陷和非故意摻雜，第三至第六章分別介紹了ZnO的n型摻雜、p型摻雜、合金摻雜、稀磁摻雜等各種摻雜技術及其應用，第七章闡述了ZnO半導體器件的相關研究。本書在內容上寬度和深度相結合，系統介紹了ZnO的基本知識，同時對ZnO研究的熱點領域進行了詳細而深入的探討。本書理
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567.
TFT LCD面板的驅動與設計（簡體書）
作者：
戴亞翔
出版社：
清華大學出版社(大陸)
出版日：
2008/11/01
裝訂：
平裝
本書是中國臺灣作者為臺灣五南文化事業出版公司編寫的科技參考書，考慮到本書涉及的內容對祖國內地該領域的發展有很高的參考價值，特別是對高校師生有學習參考價值，為此，我社將該書修訂出版并收錄到“新材料及在高技術中的應用叢書”中。本書是有關TFT LCD技術參考書，介紹了TFT LCD的基本知識、操作原理及設計時的實際應用，TFT LCD面板的驅動，TFT LCD面板的設計實例，還探討了TFT LCD的未
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568.
與時俱進的電力電子（簡體書）
作者：
張為佐
出版社：
機械工業出版社
出版日：
2008/10/01
裝訂：
精裝
張為佐先生是我國著名的電力電子技術和功率半導體專家，長期從事功率半導體器件的研究開發工作，是我國功率半導體器件的開拓者和創始人之一。本書是張為佐先生近三十年的講稿的整理。書中論述了世界功率半導體器件的歷史進程、發展趨勢和發達國家發展動態，尤其在全球經濟一體化浪潮猛烈沖擊、新經濟理念不斷深人、高新技術發展非常迅速、國際競爭異常激烈的年代，本書中提供的信息和論點，對思考我國電力電子技術和功率半導體器件
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滿額折
569.
半導體薄膜技術與物理(簡體書)
作者：
葉志鎮
;
呂建國
;
呂斌
;
張銀珠
出版社：
浙江大學出版社
出版日：
2008/09/01
裝訂：
平裝
本書共分十章，以葉志鎮教授“半導體薄膜技術物理”講義為基礎編撰而成。第一章敘述了真空技術的基本知識；第二章至第八章是本書的核心內容，結合各種半導體材料，詳細介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相沉積和濕化學合成等半導體薄膜技術與物理；第九章介紹了超晶格的相關知識，超晶格、量子阱是現代新型半導體器件的基礎和關鍵；第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術，包括發光二極管、薄膜晶
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570.
電力電子器件應用（簡體書）
作者：
孫漢林
出版社：
機械工業出版社
出版日：
2008/08/01
裝訂：
平裝
本教材是根據中國機械工業教育協會全國職業培訓教學工作指導委員會機電專業委員會組織制定的技師教學計劃和教學大綱編寫的。本教材的主要內容包括：電力電子器件，電力電子器件的驅動，整流電路，交流電力電子開關與交流調壓電路，直流電壓變換電路，逆變與變頻電路。 本教材的教學計劃和大綱是依據《國家職業標準》中對技師的要求制定的，內容立足崗位，以“必需、夠用”為度，符合職業教育的特點和規律。本教材配有教學計劃和大
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571.
新一代綠色光源LED及其應用技術（簡體書）
作者：
毛興武
出版社：
人民郵電出版社
出版日：
2008/08/01
裝訂：
平裝
本書結合目前國內外半導體照明技術的發展和應用情況，重點介紹了新一代綠色光源LED及其應用技術。全書共分為12章，全面系統地闡述了LED的發光原理與特性、國內外LED技術與產業現狀及發展趨勢、LED在各個領域中的應用、LED襯底材料與制造技術、LED的性能參數及其測量、LED燈具及光學系統設計、LED電源變換及其驅動技術和應用電路、太陽能LED照明系統、OLED技術及其應用等內容。本書涵蓋的內容廣泛
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572.
表面貼裝晶體管選用手冊（簡體書）
作者：
劉仁普
出版社：
機械工業出版社
出版日：
2008/07/01
裝訂：
平裝
電子產品的小型化對晶體管小型化的要求越來越高，各種封裝形式的半導體器件應運而生，其種類繁多，令人眼花繚亂。表面貼裝器件又稱SMD(Surface Mounted Device)，它是一種直接貼焊于印制板(PCB)表面上的器件，表貼晶體管是諸多表面貼裝器件的一種。 本書是一本較有特色的晶體管手冊，特點是把各種晶體管，如二極管、三極管、場效應晶體管、晶閘管等匯編成一本書，采用國際上流行的ASCII排序
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573.
新編國內外二極管速查手冊（簡體書）
作者：
本書編寫組
出版社：
電子工業出版社
出版日：
2008/06/01
裝訂：
精裝
全書收集了近幾年國內外數百家生產商生產的三萬余種半導體二極管型號，并采用表格形式將其主要參數、用途及相關信息展現出來，同時，還對各種管子的基本常識及手冊的使用方法做了較為詳細的說明。全書內容相當詳盡，幾乎涵蓋了當今市面上流行的各種二極管元件，是一部實用價值極高的工具書，可供電路設計、電器維修及電子愛好者查閱及收藏，還可作為初學者入門使用。
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574.
新編國內外場效應管、晶閘管速查手冊（簡體書）
作者：
本書編寫組
出版社：
電子工業出版社
出版日：
2008/06/01
裝訂：
精裝
全書搜集了近幾年國內外數百家生產商生產的三萬余種場效應管和晶閘管型號，并采用表格形式將其主要參數、用途及相關信息展現出來，同時還對各類管子的基本常識及手冊的應用方法做了較為詳細的說明。全書內容豐富，幾乎涵蓋了當今市面上流行的各種場效應管及晶閘管，是一部實用價值極強的工具書，可供電路設計、電器維修及電子愛好者查閱及收藏，還可作為初學者入門使用。
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575.
先進半導體材料及器件的輻射效應（簡體書）
作者：
克拉艾
出版社：
國防工業出版社
出版日：
2008/06/01
裝訂：
精裝
本書在介紹輻射環境、空間應用器件的選擇策略以及半導體材料和器件的基本輻射效應機理的基礎上，介紹IV族半導體材料、GaAs材料、硅雙極器件以及MOS器件的輻射損傷，接著介紹了基于GaAs材料輻射加固的場效應晶體管及空間應用的光電子器件，最后對先進半導體材料及器件的應用前景進行展望。 本書特別強調輻射效應的基本物理，介紹的內容反映當前半導體材料及器件輻射效應和輻射加固技術研究的最新進展，對于相關領域
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576.
SiGe微電子技術（簡體書）
作者：
徐世六
出版社：
國防工業出版社
出版日：
2008/06/01
裝訂：
平裝
本書以器件和集成電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設計、制造和電路應用。比較全面地介紹了新近發展起來的SiGe微電子技術。全書共九章，內容涉及SiGe材料的性質、SiGe材料的制備、SiGe異質結構、SiGe異質結雙極型晶體管、SiGe場效應晶體管、SiGe集成電路、SiGe器件及其電路的發展動態等，并對SiGe在光電子領域的應用作了簡明的介紹。講述簡明扼要，并反映出了最新的研究成果和發展趨勢。
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577.
半導體材料與器件表徵技術（簡體書）
作者：
(美)施羅德
出版社：
大連理工大學出版社
出版日：
2008/06/01
裝訂：
平裝
本書詳細介紹了現代半導體工業中半導體材料和器件的表征技術，基本上覆蓋了所有的電學與光學測試方法，以及非常專業的與半導體材料相關的物理和化學測試方法。作者不但論述了測量中的相關物理問題及半導體材料與器件的參數的物理起源和物理意義，還將自己和他人的經驗凝結其中，并給出了具體測量手段，同時指出不同手段的局限性和測量注意事項。本版經修訂及擴展，增加了許多逐漸成熟起來的表征技術，如從探測硅晶圓中金屬雜質的掃
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578.
IGBT實用備查手冊（簡體書）
作者：
陽鴻鈞
出版社：
中國電力出版社
出版日：
2008/05/01
裝訂：
平裝
本書是《半導體器件實用備查手冊》系列書之一，本手冊介紹了上千種IGBT的生產家、極限參數、電參數、尺寸圖、外形圖或內部等價圖，這些均是從事電子行業實際工作中必備的珍貴資料。 本書廣泛適用電子科技人員、各類電器設計人員、各類電器維修人員及相關學校的師生，是一本電子行業從業人員難得的工具書。
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579.
固態電子器件(英文版·第6版)（簡體書）
作者：
(美)斯特里特曼
;
(美)巴納里傑
出版社：
人民郵電出版社
出版日：
2008/05/01
裝訂：
平裝
本書是介紹半導體器件工作原理的經典入門教材，其主要內容包括固體物理基礎和半導體器件物理兩大部分，同時也涵蓋半導體晶體結構與材料生長技術、集成電路原理與製造工藝以及光電子器件與高頻大功率器件等相關內容。 本書注重基本物理概念，強調理論聯系實際，可作為高等院校電子信息類專業“固態器件與電路”專業基礎課的教材，也可供相關領域的研究人員和技術人員參考。
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580.
半導體器件新工藝（簡體書）
作者：
梁瑞林
出版社：
科學出版社
出版日：
2008/04/01
裝訂：
平裝
本書為“表面組裝與貼片式元器件技術”叢書之一。本書主要介紹了單晶硅圓片的加工技術，大規模集成電路的設計制版、芯片加工與封裝檢驗技術，多種類型的半導體材料與器件的應用，及其未來的展望等內容。本書在內容上，力圖盡可能地向讀者傳遞國際上先進的半導體制造技術方面的前沿知識，避免冗長的理論探討，體現了本書的實用性。 本書可以作為電子電路、微電子、半導體材料與器件、電子科學與技術等領域的工程技術人員以及
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