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TN30 一般性問題
TN301 基礎理論
TN301.1 半導體物理
TN301.2 半導體化學
TN302 設計與計算
TN303 結構、器件
TN304 材料
TN304.0 一般性問題
TN304.1 元素半導體
TN304.2 化合物半導體
TN304.3 稀土半導體
TN304.5 有機半導體
TN304.6 離子晶體
TN304.7 磁性半導體、磁阻半導體
TN304.8 非晶態半導體
TN304.9 其他半導體材料
TN305 半導體器件制造工藝及設備
TN305.1 晶體機械加工
TN305.2 表面處理
TN305.3 摻雜
TN305.4 擴散
TN305.5 氧化層生長
TN305.6 制版
TN305.7 光刻、掩膜
TN305.8 真空鍍膜
TN305.92 濺射
TN305.93 裝架
TN305.94 封裝及散熱問題
TN305.95 隔離技術
TN305.96 引線技術
TN305.97 潔凈技術
TN305.99 其他
TN306 可靠性及例行試驗
TN307 測量和檢驗
TN31 半導體二極管
TN311 二極管:按工藝分
TN311+.1 面接觸二極管
TN311+.2 合金二極管
TN311+.3 擴散二極管
TN311+.4 電化學二極管
TN311+.5 薄膜二極管
TN311+.6 互補二極管
TN311+.7 熱載流子二極管
TN311+.8 金屬-半導體二極管
TN312 二極管:按結構和性能分
TN312+.1 變容二極管
TN312+.2 隧道二極管
TN312+.3 反向二極管
TN312+.4 PIN二極管
TN312+.5 磁性二極管
TN312+.6 雙基極二極管
TN312+.7 雪崩二極管
TN312+.8 發光二極管
TN313 二極管:按作用分
TN313+.1 高壓二極管
TN313+.2 負阻二極管
TN313+.3 穩壓二極管
TN313+.4 功率二極管
TN313+.5 整流二極管
TN313+.6 開關二極管
TN313+.7 電荷貯存二極管(階躍恢復二極管)
TN313+.8 微波混頻及檢波二極管
TN314 二極管:按形式分
TN314+.1 臺面型二極管
TN314+.2 平面型二極管
TN314+.3 外延式二極管
TN315 二極管:按材料分
TN315+.1 鍺二極管
TN315+.2 硅二極管
TN315+.3 砷化鎵二極管
TN32 半導體三極管(晶體管)
TN321 晶體管:按工藝分
TN321+.1 面接觸晶體管
TN321+.2 合金晶體管
TN321+.3 擴散晶體管
TN321+.4 電化學晶體管
TN321+.5 薄膜晶體管
TN321+.6 互補晶體管
TN322 晶體管:按性能分
TN322+.1 本征勢壘晶體管
TN322+.2 漂移晶體管
TN322+.3 復合晶體管
TN322+.4 負荷晶體管、電荷晶體管
TN322+.5 磁性晶體管
TN322+.6 低噪聲晶體管
TN322+.7 微功耗晶體管
TN322+.8 雙極性晶體管
TN323 晶體管:按作用分
TN323+.1 低頻晶體管
TN323+.2 高頻晶體管
TN323+.4 功率晶體管
TN323+.6 開關晶體管
TN323+.7 模擬晶體管
TN323+.8 高反壓晶體管
TN324 晶體管:按形式分
TN324+.1 臺面型晶體管
TN324+.2 平面型晶體管
TN324+.3 外延型晶體管
TN324+.4 覆蓋式晶體管、梳狀(網狀)晶體管
TN325 晶體管:按材料分
TN325+.1 鍺晶體管
TN325+.2 硅晶體管
TN325+.3 化合物晶體管、砷化鎵晶體管
TN335 PNPN四層結構器件
TN34 晶閘管(可控硅)
TN341 可控硅原理和設計
TN342 可控硅器件
TN342+.2 單向可控硅
TN342+.3 雙向可控硅
TN342+.4 可關斷可控硅
TN342+.5 雪崩型可控硅
TN342+.6 高速可控硅
TN342+.7 光控可控硅
TN344 控制線路
TN345 參數及測量
TN345+.1 額定正向平均電流及其測量
TN345+.2 正向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.3 反向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.4 控制極觸發電壓及其測量
TN345+.5 控制極觸發電流及其測量
TN349 可控硅的應用
TN35 半導體整流器
TN351 氧化亞銅整流器
TN352 硒整流器
TN353 鍺整流器
TN354 砷化鎵整流器
TN355 氧化物整流器
TN356 硫化物整流器
TN357 光控整流器
TN358 電導調制整流器
TN359.1 相敏整流器
TN359.2 整流堆
TN36 半導體光電器件
TN361 光敏電阻
TN362 紅外線探測器件
TN364 半導體光電管
TN364+.1 硅光電管
TN364+.2 半導體光電二極管
TN364+.3 光電晶體管
TN364+.4 微分半導體光電管
TN365 半導體激光器件
TN366 光轉換器
TN37 半導體熱電器件、熱敏電阻
TN371 通用熱敏電阻
TN372 高溫、低溫熱敏電阻
TN373 正溫度系數熱敏電阻
TN374 高頻、低頻熱敏電阻
TN375 玻璃態熱敏電阻
TN376 熱敏電阻熱輻射探測器
TN377 溫差電器件
TN379 敏感器件
TN382 霍爾器件、光磁電探測器件
TN382+.1 霍爾回旋器
TN382+.2 霍爾阻隔器
TN382+.3 霍爾環形器
TN383 發光器件
TN383+.1 場致發光器件、電致發光器件
TN383+.2 光致發光器件
TN383+.3 高能粒子輻射發光器件
TN383+.4 陰極發光器件
TN383+.5 熱致發光器件
TN384 鐵電及壓電器件
TN385 微波半導體器件
TN386 場效應器件
TN386.1 金屬-氧化物-半導體(MOS)器件
TN386.2 絕緣柵場效應器件
TN386.3 肖特基勢壘柵場效應器件
TN386.4 硅柵器件
TN386.5 電荷耦合器件
TN386.6 結型場效應晶體管
TN386.7 靜電感應場效應晶體管
TN387 體效應器件
TN387.1 甘氏效應器件、甘氏二極管
TN387.2 限壘二極管
TN387.3 碰撞雪崩渡越時間器件
TN387.4 奧氏器件、玻璃半導體器件
TN387.5 混合模式器件
TN389 其他器件
共
624
筆商品,
28
/32頁
541.
高效功率器件驅動與保護電路設計及應用實例(簡體書)
作者:
周志敏
;
紀愛華
出版社:
人民郵電出版社
出版日:
2009/10/02
裝訂:
平裝
本書結合國內外高效功率器件(以MOSFET和IGBT為主)的發展和最新應用技術,系統地講解了半導體功率器件基礎知識、高效功率器件驅動與保護電路、高效功率器件集成驅動電路、現代功率器件模塊化技術、功率器件應用設計實例等內容。本書內容新穎實用,文字通俗易懂,具有較高的實用價值,可供電信、信息、航天、軍事、工控、電氣傳動及家電等領域從事功率器件應用設計的工程技術人員閱讀,也可供高等院校相關專業的師生參考
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542.
固態電子器件(第6版)(簡體書)
作者:
(美)斯特里特曼(Strectman
;
B.G.)
;
(美)巴納里杰(Banerjee
;
S.K.)
出版社:
人民郵電出版社
出版日:
2009/10/01
裝訂:
平裝
本書是介紹半導體器件工作原理的經典入門教材,其主要內容包括固體物理基礎和半導體器件物理兩大部分,同時也涵蓋半導體晶體結構與材料生長技術、集成電路原理與製造工藝以及光電子器件與高頻大功率器件等相關內容。 本書注重基本物理概念,強調理論聯系實際,可作為高等院校電子信息類專業“固態器件與電路”專業基礎課的教材,也可供相關領域的研究人員和技術人員參考。
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定價:450 元,
優惠價:
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392
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543.
綠色照明LED實用技術(簡體書)
作者:
陳大華
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2009/10/01
裝訂:
平裝
本書從照明科技必備的理論基礎出發,系統地介紹了光度學和色度學的相關知識,并分門別類地對LED工作原理、光學特性、電學特性和熱學特性作了較詳細的闡述,尤其對LED在不同照明領域中的實踐和應用作了分析和論述,最后展望了LED的發展前景。 本書內容力求深入淺出,注重系統性和嚴謹性。適用于從事LED照明的工作人員參考,也可供大專院校、科研單位以及生產企業中從事有關LED照明的技術人員參考。
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定價:294 元,
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544.
LED照明設計與應用(簡體書)
作者:
(日)LED照明推進協會
出版社:
科學出版社
出版日:
2009/10/01
裝訂:
平裝
本書是一部關予LED照明系統的普及讀物,主要由五個重要的部分組成,即基礎篇、測試方法篇、設計指南篇、應用篇和資料篇。本書可幫助讀者全方位了解LED的工作原理、測試方法、設計原理與應用等方面的知識。書中通過大量的插圖與表格對內容進行深入淺出的論述,使之達到了通俗易懂、簡明扼要的效果。本書可作為照明相關領域的專業參考書,對希望全面系統掌握LED照明知識的人士,也將是一本不可多得的專業科普讀物。
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定價:179 元,
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545.
LED製造技術與應用(簡體書)
作者:
陳元燈
;
陳宇
出版社:
電子工業出版社
出版日:
2009/10/01
裝訂:
平裝
本書從LED芯片製作、LED封裝和LED應用等方面介紹了LED的基本概念與相關技術,詳細講解了LED封裝過程中和開發應用產品時應該注意的一些技術問題,特別是LED應用的驅動問題、散熱問題、二次光學設計問題和防靜電問題等,并針對這些問題提出了具體的解決方法。本書還討論了在不同的應用中如何合理地選用LED器件及大功率LED的驅動和應用。本書可作為LED器件的製造者、使用者的指導手冊,也可供電子技術愛好
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定價:174 元,
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546.
碳基薄膜制備及場致電子發射(簡體書)
作者:
張兵臨
出版社:
鄭州大學出版社
出版日:
2009/09/01
裝訂:
平裝
對于碳基薄膜材料場致電子發射特性的研究,國內外不少單位都投入了大量資金和人力。1996年,我國也正式將該課題列入國家“八六三”計劃,我們研究組承擔了該課題的研究工作。關於碳基薄膜材料場致電子發射特性的研究,之所以受到人們的廣泛重視,是因為該研究工作不僅對于碳基薄膜材料的結構以及場致電子發射特性的研究具有科學意義,而且具有重要應用價值。碳基薄膜材料可以作為冷陰極電子源應用于真空微納電子器件、微波器件
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定價:216 元,
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547.
白光LED驅動電路設計與應用實例(簡體書)
作者:
周志敏
;
紀愛華
出版社:
人民郵電出版社
出版日:
2009/09/01
裝訂:
平裝
本書結合我國綠色照明工程計劃及國內外LED照明技術發展動態,系統地闡述了白光LED的基礎知識和LED照明最新應用技術,主要內容包括LED的發展歷程與應用領域、LED的發光原理和特性參數、白光LED技術、白光LED驅動電源、白光LED驅動電路設計實例等內容。 本書題材新穎,內容豐富,文字通俗易懂,具有較高的實用性,可供電子、信息、航天、汽車、國防及家電等領域從事白光LED照明研發、設計和應用的工程
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定價:234 元,
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548.
真空鍍膜技術(簡體書)
作者:
張以忱
出版社:
冶金工業出版社
出版日:
2009/09/01
裝訂:
平裝
全書共分10章,系統地闡述了真空鍍膜技術的基本概念和基礎理論、各種薄膜制備技術、設備及工藝、真空卷繞鍍膜技術、ITO導電玻璃真空鍍膜工藝,尤其重點介紹了一些近年來新出現的鍍膜方法與技術,如反應磁控濺射鍍膜技術、中頻磁控濺射鍍膜和非平衡磁控濺射鍍膜技術等;還詳細介紹了薄膜沉積及膜厚的監控與測量以及表面與薄膜分析檢測技術等方面的內容。本書具有很強的實用性,適合于真空鍍膜行業、薄膜與表面應用、材料工程、
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376
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549.
矽材料檢測技術(簡體書)
作者:
康偉超
;
王麗
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2009/08/01
裝訂:
平裝
本書主要介紹了半導體硅材料常規電學參數的物理測試方法、檢測晶體缺陷的化學腐蝕法、半導體晶體定向法、硅單晶中氧和碳含量的測定方法。本書還介紹了多晶硅中基硼、基磷含量的檢驗方法、純水的制備及高純分析方法。 為了確保測試數據的準確性,對硅材料常規物理參數測試的測準條件作了詳細的分析介紹。對先進的測試技術作了一般的介紹。本書是硅材料技術專業的核心教材。 本書可作為高職高專硅材料技術及光伏專業的教材,同時也
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滿額折
550.
真空鍍膜設備(簡體書)
作者:
張以忱
出版社:
冶金工業出版社
出版日:
2009/08/01
裝訂:
平裝
本書詳細介紹了真空鍍膜設備的設計方法與鍍膜設備各機構元件的設計計算、設計參數的選擇,其中重點、系統地介紹了磁控濺射靶的設計計算和濺射鍍膜的膜厚均勻性設計。全書共分13章,主要講解真空鍍膜室結構、鍍膜室工件架、真空鍍膜機的加熱與測溫裝置、真空鍍膜機的抽氣系統、真空室電和運動的導入結構、濺射鍍膜設備的充布氣系統、蒸發源、磁控濺射靶、濺射鍍膜的膜厚均勻性等方面的設計與計算。 本書有很強的實用性,適合真
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定價:156 元,
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551.
半導體矽材料基礎(簡體書)
作者:
尹建華
;
李志偉
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2009/07/01
裝訂:
平裝
本書系統地介紹了半導體硅材料的基本性質、與半導體晶體材料相關的晶體幾何學、能帶理論、微電子學方面的基礎理論知識,系統地介紹了作為光伏技術應用的硅材料的制備基礎理論知識,為系統學習多晶硅生產技術和單晶硅及硅片加工技術奠定理論基礎,是硅材料技術專業的核心教材。 本書可作為高職高專硅材料技術及光伏專業的教材,同時也可作為中專、技校和從事單晶硅生產的企業員工的培訓教材,還可供相關專業工程技術人員學習參考。
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552.
直拉單晶矽工藝技術(簡體書)
作者:
黃有志
;
王麗
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2009/07/01
裝訂:
平裝
本書共8章,包括:單晶硅的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準備、直拉單晶硅生長技術、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術等內容。 本書可作為高職高專太陽能光伏產業硅材料技術專業的教材,同時也可作為中專、技校和從事單晶硅生產的企業員工的培訓教材,還可供相關專業工程技術人員學習參考。
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定價:150 元,
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553.
半導體器件完全指南(簡體書)
作者:
(美)伍國玨
出版社:
科學出版社
出版日:
2009/07/01
裝訂:
平裝
本書全面介紹了從第一只電阻器出現至今的200多種半導體器件,并對每種器件的背景知識、結構、原理及應用做了完整的概述。器件類型不僅包括早期或已淘汰的器件,更包括新近的量子器件;不僅包括通用器件,還包括專用器件等。并且在附錄中收錄了一些最基本的器件物理知識。本書的編排可以讓廣大讀者快速了解各類半導體器件,同時也可就某一類器件展開深入的學習與研究。本書具有如下特點:收錄最全;反映最新器件研究水平;編排獨
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554.
雙色圖文詳解二極體及應用電路(簡體書)
作者:
胡斌
出版社:
人民郵電出版社
出版日:
2009/07/01
裝訂:
平裝
本書的核心內容是二極管類元器件的基礎知識和典型應用電路。本書首先介紹了電子技術的學習方法和電子元器件知識的學習重點,然后詳細地介紹了常用二極管的基礎知識和應用電路,最后介紹了二極管類元器件的檢測和選配方法。 本書形式新穎,內容豐富,分析透徹,適合零起點的電子愛好者、電子技術產業工人、大中專院校相關專業學生閱讀和參考。
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555.
IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性(簡體書)
作者:
(日)SADAO ADACHI
出版社:
科學出版社
出版日:
2009/07/01
裝訂:
平裝
以硅為基礎的微電子技術在信息技術中仍占據著重要的地位,但是III-V族化合物和IV-V族化合物半導體材料因具有高的載流子遷移率和大的禁帶寬度而在發光器件、高速器件、高溫器件、高頻器件、大功率器件等方面得到越來越廣泛的應用。可以預見,光電集成或光子器件所用的材料將大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半導體材料。然而目前除了IV族的si材料外,其他半導體材料的數據資料比較零亂,缺少一本把這些材
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556.
半導體器件物理(簡體書)
作者:
顧曉清
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2009/07/01
裝訂:
平裝
本書融合了半導體物理和晶體管原理兩部分的內容。考慮到對高職學生的教育要求,本書在編寫時盡量減少理論推導,用通俗易懂的語言來闡述半導體物理的基本知識和晶體管的基本原理。全書共分10章,第1章介紹半導體物理的基本知識,第2章闡述P-N結的特性,第3到6章講述晶體管的直流特性、交流特性、開關特性和高頻大功率晶體管的設計,第7到第10章講述MOS器件的相關內容。每章均有與教學內容相結合的適量習題。本書可作
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557.
低維半導體複合結構的光學性質(簡體書)
作者:
金華
出版社:
吉林大學出版社
出版日:
2009/06/01
裝訂:
平裝
《低維半導體復合結構的光學性質(低維半導體物理和超快光譜技術研究參考必備手冊)》介紹了Ⅱ-Ⅵ族低維半導體復合結構中的載流子動力學過程及其光學性質,并對Ⅱ-Ⅵ族低維量子體系中材料的表征、穩態和瞬態光譜測量技術、物理特性和應用方面進行較為系統地介紹。主要內容包括低維半導體的基本性質,低維結構中的光學測量方法,znTe基復合量子阱中的載流子行為和znse基量子阱/量子點復合結構中的激子行為。《低維半導體
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558.
共振隧穿器件及其應用(簡體書)
作者:
郭維廉
出版社:
科學出版社
出版日:
2009/06/01
裝訂:
平裝
本書是一本全面、系統地講述共振隧穿器件及其應用的著作。全書共10章,第1~3章為共振隧穿二極管的物理基礎、器件模型和模擬以及器件設計、制造與參數測量;第4~6章為各種類型的共振隧穿二極管、晶體管以及共振隧穿型光電器件;第7~9章為共振隧穿器件在模擬電路、數字電路和光電集成中的應用;第10章論述了共振隧穿器件及其應用的發展趨勢。 本書可作為微電子專業本科生或研究生選修課程的教材或主要參考書,也可供從
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559.
晶閘管換流閥(簡體書)
作者:
劉澤洪
出版社:
中國電力出版社
出版日:
2009/05/01
裝訂:
平裝
特高壓直流輸電是實施我國“西電東送”戰略的重要措施。國家電網公司特高壓建設部策劃組織國網直流工程建設有限公司監造代表處編寫了《特高壓直流輸電工程換流站主設備監造手冊》(簡稱《手冊》),以向家壩-上海±800kV特高壓直流輸電示范工程(簡稱向上直流工程)設備制造為依托,用以指導特高壓直流設備的現場監造。 《手冊》包括《換流變壓器和平波電抗器》、《晶閘管換流閥》、《直流控制保護系統》三個分冊。本書為《
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LED照明技術與應用電路(簡體書)
作者:
周志敏
出版社:
電子工業出版社
出版日:
2009/05/01
裝訂:
平裝
本書結合我國綠色照明工程計畫,以LED照明技術和LED照明實用電路為本書的核心內容,結合目前國內外LED技術發展動態,全面系統地闡述了照明基礎知識、LED固體照明技術、大功率LED驅動電路、大功率LED應用電路、LED照明的工程應用技術等內容。本書題材新穎實用、內容豐富、深入淺出、文字通俗,具有很高的實用價值。 本書可供電信、資訊、航太、汽車、國防及家電等領域從事LED照明研發、設計、應用的工程技
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